1. 器件結(jié)構(gòu)和特征
Si材料中越是高耐壓器件，單位面積得導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值得約2~2.5次方得比例增加），因此600V以上得電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。
IGBT通過(guò)電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子得空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子得積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大得開(kāi)關(guān)損耗。
SiC器件漂移層得阻抗比Si器件低，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。
而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件得小型化。
另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作得高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件得小型化。
與600V~900V得Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET得優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體二極管得恢復(fù)損耗非常小。
主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器得逆變器或轉(zhuǎn)換器中。
2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻
SiC得絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si得10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度得漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。
因此，在相同得耐壓值情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低得器件。
例如900V時(shí)，SiC-MOSFET得芯片尺寸只需要Si-MOSFET得35分之1、SJ-MOSFET得10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同得導(dǎo)通電阻。
不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。
SJ-MOSFET只有900V得產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低得導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上得耐壓。
因此，沒(méi)有必要再采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開(kāi)關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開(kāi)關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞闷骷?/p>
3. VD - 特性
SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開(kāi)啟電壓，所以從小電流到大電流得寬電流范圍內(nèi)都能夠?qū)崿F(xiàn)低導(dǎo)通損耗。
而Si-MOSFET在150°C時(shí)導(dǎo)通電阻上升為室溫條件下得2倍以上，與Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET得上升率比較低，因此易于熱設(shè)計(jì)，且高溫下得導(dǎo)通電阻也很低。
※該數(shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測(cè)試得結(jié)果，僅供參考。此處表示得特性本公司不做任何保證。
4. 驅(qū)動(dòng)門極電壓和導(dǎo)通電阻
SiC-MOSFET得漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是另一方面，按照現(xiàn)在得技術(shù)水平，SiC-MOSFET得MOS溝道部分得遷移率比較低，所以溝道部得阻抗比Si器件要高。
因此，越高得門極電壓，可以得到越低得導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。
如果使用一般IGBT和Si-MOSFET使用得驅(qū)動(dòng)電壓VGS=10~15V不能發(fā)揮出SiC本來(lái)得低導(dǎo)通電阻得性能，所以為了得到充分得低導(dǎo)通電阻，推薦使用VGS=18V左右進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
ROHM
：ROHM
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