感謝 阮潤生

隨著新能源汽車、5G通訊、光伏儲能等市場發(fā)展，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體材料受到投資熱捧。日前在集邦化合物半導體新應用前瞻分析會上，華燦光電（300323）副總裁王江波接受·e公司感謝采訪時表示，公司于上年年已進入GaN電力電子器件領域，產品將向快充、數(shù)據中心、電動汽車、通信等市場領域拓展。

“華燦光電具有十幾年GaN基LED外延及芯片研發(fā)制造經驗，LED芯片產品主要用于超高清顯示、高端背光、高光效照明、紫外和紅外等市場。”王江波指出，除了現(xiàn)有光電領域，公司也在向功率器件等電子電力器件領域拓展。

上年年，華燦光電非公開發(fā)行募資15億元，其中3億元將投向“GaN基電力電子器件得研發(fā)與制造項目”。王江波表示，電子電力器件與公司深耕得光電領域應用市場有所不同，但材料體系相似，工藝制備方面有一定相通之處，電力電子器件產品工藝更為復雜，線寬控制和設備得要求更高。

目前GaN功率器件市場主要集中在消費電子快充得市場，據預測未來四年滲透率將會達到75%。對此，王江波表示，快充是比較容易進入得市場領域，“雖然現(xiàn)在已經有比較成熟得方案，但是并未固化，華燦也會根據自身優(yōu)勢和積累，探索適合得技術路線。”

另外，GaN材料還可以滿足數(shù)據中心安全、高效、穩(wěn)定，同時減少體積、降低成本得需求；在電動汽車功率器件方面，GaN材料比硅基材料得功率密度提升5倍，公示功耗降低3倍，體積更輕巧、更集成；另外，在無人駕駛領域，GaN也可以在雷達得應用方面發(fā)揮作用，實現(xiàn)更短得脈沖，達到更高得分辨率、更快得測量、更好得計算。

據介紹，目前華燦光電GaN電力電子器件外延片已達到國內先進水平，芯片相關工藝完成階段性開發(fā)，6英寸硅基GaN電力電子器件工藝已通線，100mm柵寬D-Mode器件靜態(tài)參數(shù)已達國際標準。華燦光電預計2022年推出650V cascode產品，2023年具備批量生產和代工能力。

今年5月份，華燦光電披露實際控制人變更為珠海國資。去年12月，珠海國資旗下華實控股參與認購華燦光電定增，另外，華實控股通過受讓原股東股份轉讓后，合計持股24.87%，成為上市公司第壹大股東。10月份，華燦光電披露擬與珠海華發(fā)實體產業(yè)研究院有限公司設立先進半導體研究院，雙方分別出資1.5 億元。

“華發(fā)集團入股對華燦光電可以全方位賦能。”王江波表示，華發(fā)集團擁有雄厚得資金，同時也有豐富得上下游資源，包括在家居照明、健康照明、植物照明等領域，華發(fā)皆有布局，可以與華燦光電產生聯(lián)動效應。另外，雙方共建得研究院會重點研究未來三到五年得前瞻性技術，以期在先進半導體領域獲更快發(fā)展。