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寧波大學(xué)_可調(diào)諧多篩石墨烯量子點_用于發(fā)光器件

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2023-02-03 06:01:37    瀏覽次數(shù):106
導(dǎo)讀

成果簡介多色可調(diào)諧發(fā)射石墨烯量子點(GQDs)得發(fā)展對于其在光電器件和多色反輻射中得應(yīng)用具有重要意義。感謝,寧波大學(xué)Xu Wang、Da Chen在《ACS Appl. Nano Mater》期刊發(fā)表名為“Bright Tunable Multicolor Graphe

成果簡介

多色可調(diào)諧發(fā)射石墨烯量子點(GQDs)得發(fā)展對于其在光電器件和多色反輻射中得應(yīng)用具有重要意義。感謝,寧波大學(xué)Xu Wang、Da Chen在《ACS Appl. Nano Mater》期刊發(fā)表名為“Bright Tunable Multicolor Graphene Quantum Dots for Light-Emitting Devices and Anticounterfeiting Applications”得論文,研究通過溶劑熱反應(yīng)合成了藍色(B-GQD)、綠色(G-GQDs)和紅色GQDs(R-GQDs。B-、G-和R-GQD表現(xiàn)出與激發(fā)無關(guān)得行為、優(yōu)異得熒光性質(zhì)和優(yōu)異得光穩(wěn)定性。

B、G和R-GQD得相對量子產(chǎn)率(QY)分別為68%、62%和27%。結(jié)構(gòu)表征和理論計算表明,量子大小效應(yīng)調(diào)整了B-GQDs到G-GQDs得發(fā)射紅移,而氧和C═N鍵含量得增加是R-GQDs紅色發(fā)射得原因。然后,我們將制備得多色GQDs作為熒光油墨用于圖案印刷和多色防偽。此外,B-、G-和R-顏色和白色發(fā)光二極管(LEDs)是由紫外線輻射作為激發(fā)而制造得。白光LED得色坐標為(0.335,0.343),顯色指數(shù)高達95,相關(guān)色溫為4835K。這項研究成功地拓展了GQD在可靠得防偽、信息安全和高顯色指數(shù)GQD型LED中得潛在應(yīng)用。

圖文導(dǎo)讀

圖1.B-、G 和 R-GQD 得制備和應(yīng)用得示意圖。

圖2.(a) B-GQD、(b) G-GQD 和 (c) R-GQD 得紫外-可見吸收和 PL 激發(fā)和發(fā)射光譜。插圖是 B-、G 和 R-GQD 在日光下和 365 nm 照明下乙醇中得照片。(d) B-GQD、(e) G-GQD 和 (f) R-GQD 在不同激發(fā)波長下得熒光光譜。(g) B-GQD、(h) G-GQD 和 (i) R-GQD 得激發(fā)-發(fā)射矩陣圖。

圖3.(a)B-GQD,(b)G-GQD和(c)R-GQD得TEM圖像;插圖顯示了HRTEM圖像和顆粒直徑分布。(d) B-GQD、(e) G-GQD 和 (f) R-GQD 得 AFM 圖像;插圖顯示了沿相應(yīng)線得高度剖面分析。

圖4.(a) B-GQD、(b) G-GQD 和 (c) R-GQD 得時間分辨 PL 光譜。(d) B-、G 和 R-GQD 得 FT-IR 光譜。(e) B-、G 和 R-GQD 得 XPS 測量光譜。

圖5.(a)數(shù)字“8”,(b)寧波大學(xué)徽標和(c)在紫外線下濾紙上帶有三個GQD得剪紙得圖像。(d) 在紫外光下用G-和R-GQD在濾紙上寫得二進制代碼。

圖6.(a) 指示燈示意圖。(b)藍色,(c)綠色和(d)紅色LED器件得EL發(fā)射光譜和光學(xué)顯微鏡圖像。(e) 藍色、綠色、紅色和白色 LED 得 CIE 值。(f) EL發(fā)射光譜和WLED得光學(xué)顯微鏡圖像。(g) 不同工作電流下WLED得EL發(fā)射光譜。(h) 不同工作電流下WLED得CCT。(i) 不同工作電流下WLED得CRI。

小結(jié)

總之,我們成功地通過溶劑熱反應(yīng)合成了具有高QYs和良好光穩(wěn)定性得B-、G-和R-GQDs。在可靠些激發(fā)波長下,B-GQD、G-GQD和R-GQD得熒光QY分別達到68%、62%和27%。這三種GQD表現(xiàn)出明亮得藍色、綠色和紅色發(fā)光和激發(fā)無關(guān)得特性。同時,B-和G-GQDs得發(fā)射于量子尺寸效應(yīng),R-GQDs得紅色發(fā)射主要歸因于氧和C═N鍵含量得增加。制備得帶有PVA介質(zhì)得B-、G-和R-GQD為信息存儲和防偽應(yīng)用提供了出色得熒光油墨。此外,明亮得三色和白光LED由這些多色GQD制造。WLED得色坐標為(0.335,0.343),CIE色度圖中得色溫為4835 K,高CRI為95。本工作為理解PL機理和多色防偽發(fā)光器件得應(yīng)用提供了指導(dǎo)。

文獻:

doi.org/10.1021/acsanm.2c04928

 
(文/小編)
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